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NDF08N50Z
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
2000
1.0
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.10
0
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500
200
0
0
C rss
5
10
15
C oss
20
25
30
35
40
45
50
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Variation
15.0
14.0
13.0
12.0
11.0
Q T
300
250
10.0
9.0
8.0
7.0
6.0
Q GS
V DS
Q GD
V GS
200
150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
V DS = 250 V
I D = 7.5 A
T J = 25 ° C
100
50
0.0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
32
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
10.0
100
V DD = 250 V
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
t d(off)
t r
t f
t d(on)
1.0
T J = 150 ° C
125 ° C
25 ° C
10
? 55 ° C
1.0
1
10
100
0.1
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus
Current
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